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UNR42170RA |
NS-B1 | Panasonic Electronic Components - Semiconductor Products | 168 | 閻絻鐦介敍锟�0755-83217923 询价QQ：  |
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UNR42170RA参数 产品类别：分离式半导体产品-晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式 说明：TRANS NPN W/RES 210 HFE NS-B1 包装数量：5000 包装形式：带盒（TB） PDF资料下载：  PDF文档晶体管类型：NPN - 预偏压 电流 - 集电极 (Ic)（最大）：100mA 电压 - 集电极发射极击穿（最大）：50V 电阻器 - 基极 (R1)（欧）：22k 电阻器 - 发射极 (R2)（欧）：- 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)：160 @ 5mA，10V Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大）：250mV @ 300µA，10mA 电流 - 集电极截止（最大）：500nA 频率 - 转换：150MHz 功率 - 最大：300mW 安装类型：通孔 |
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热门型号： Card EdgeGEC20DRXN Card EdgeECM06DCSN Card EdgeHMC30DREH 矩形- 接头，公引0015915749 矩形- 接头，公引0015913088 测试引线 - 香蕉4771-36-0 矩形- 接头，公引0015912700 矩形- 接头，公引0015913480 保险丝 - 电气，0RLN035.T 矩形- 接头，公引0015913440 |
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